Número de peça do fabricante : | W9425G6EH-5 | Estado de RoHS : | Sem chumbo / acordo com RoHS |
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Fabricante / Marca : | Winbond Electronics Corporation | Condição de estoque : | 2240 pcs Stock |
Descrição : | IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II | Navio De : | Hong Kong |
Fichas de dados : | W9425G6EH-5.pdf | Caminho de embarque : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Número de parte | W9425G6EH-5 |
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Fabricante | Winbond Electronics Corporation |
Descrição | IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II |
Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Quantidade Disponível | 2240 pcs |
Fichas de dados | W9425G6EH-5.pdf |
Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página | 15ns |
Tensão - Fornecimento | 2.3 V ~ 2.7 V |
Tecnologia | SDRAM - DDR |
Embalagem do dispositivo fornecedor | 66-TSOP II |
Série | - |
Embalagem | Tray |
Caixa / Gabinete | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 3 (168 Hours) |
Tipo de memória | Volatile |
Tamanho da memória | 256Mb (16M x 16) |
Interface de memória | Parallel |
Formato de memória | DRAM |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Descrição detalhada | SDRAM - DDR Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 250MHz 55ns 66-TSOP II |
Freqüência de relógio | 250MHz |
Tempo de acesso | 55ns |
IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA
IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA
IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II
IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA
IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II