CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleSIA439EDJ-T1-GE3
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SIA439EDJ-T1-GE3

Número de peça do fabricante : SIA439EDJ-T1-GE3 Estado de RoHS :
Fabricante / Marca : Vishay / Siliconix Condição de estoque : -
Descrição : MOSFET P-CH 20V 28A PPAK SC70-6 Navio De : Hong Kong
Fichas de dados : SIA439EDJ-T1-GE3(1).pdfSIA439EDJ-T1-GE3(2).pdfSIA439EDJ-T1-GE3(3).pdf Caminho de embarque : DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Número de parte SIA439EDJ-T1-GE3
Fabricante Vishay / Siliconix
Descrição MOSFET P-CH 20V 28A PPAK SC70-6
Status sem chumbo / Status RoHS
Quantidade Disponível Em estoque
Fichas de dados SIA439EDJ-T1-GE3(1).pdfSIA439EDJ-T1-GE3(2).pdfSIA439EDJ-T1-GE3(3).pdf
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±8V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor PowerPAK® SC-70-6
Série TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS 16.5mOhm @ 5A, 4.5V
Dissipação de energia (Max) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Caixa / Gabinete PowerPAK® SC-70-6
Pacote Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação -50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2410 pF @ 10 V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 69 nC @ 8 V
Tipo FET P-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 1.8V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 20 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 28A (Tc)
Número do produto base SIA439
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Endereço bancário: 27 / F, China Recursos Building, No.5001, Shennan Road
Leste, Distrito de Luohu, Shenzhen, China
Região: China

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