Número de peça do fabricante : | GL4800E0000F |
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Estado de RoHS : | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Fabricante / Marca : | Sharp Microelectronics |
Condição de estoque : | 5250 pcs Stock |
Descrição : | EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL |
Navio De : | Hong Kong |
Fichas de dados : | GL4800E0000F.pdf |
Caminho de embarque : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Número de parte | GL4800E0000F |
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Fabricante | Sharp Microelectronics |
Descrição | EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL |
Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Quantidade Disponível | 5250 pcs |
Fichas de dados | GL4800E0000F.pdf |
Comprimento de onda | 950nm |
Voltagem - Avanço (Vf) (Tipo) | 1.2V |
Ângulo de visão | 60° |
Digitar | Infrared (IR) |
Série | - |
Intensidade de radiante (Ie) Min @ Se | - |
Embalagem | Bulk |
Caixa / Gabinete | Radial |
Outros nomes | 425-1939-5 |
Orientação | Side View |
Temperatura de operação | -25°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Descrição detalhada | Infrared (IR) Emitter 950nm 1.2V 50mA 60° Radial |
Corrente - Avanço DC (Se) (Máx.) | 50mA |
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB