Número de peça do fabricante : | RF5110GTR7 |
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Estado de RoHS : | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Fabricante / Marca : | RFMD |
Condição de estoque : | 6682 pcs Stock |
Descrição : | IC GSM POWER AMP 3V 16-QFN |
Navio De : | Hong Kong |
Fichas de dados : | RF5110GTR7.pdf |
Caminho de embarque : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Número de parte | RF5110GTR7 |
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Fabricante | RFMD |
Descrição | IC GSM POWER AMP 3V 16-QFN |
Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Quantidade Disponível | 6682 pcs |
Fichas de dados | RF5110GTR7.pdf |
Tensão - Breakdown | 16-QFN (3x3) |
Frequência de teste | GSM, GPRS |
Shell Estilo | 2.7 V ~ 4.8 V |
Série | - |
Status de RoHS | Tape & Reel (TR) |
Tipo RF | - |
Polarização | 16-VFQFN Exposed Pad |
Outros nomes | 5110G 689-1030-2 |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 2 (1 Year) |
Tempo de entrega padrão do fabricante | 12 Weeks |
Número de peça do fabricante | RF5110GTR7 |
Grupo de Frequência | - |
Freqüência | 800MHz ~ 950MHz |
Tipo FET | 32dB |
Descrição expandida | RF Amplifier IC GSM, GPRS 800MHz ~ 950MHz 16-QFN (3x3) |
Descrição | IC GSM POWER AMP 3V 16-QFN |
Atual - Teste | - |
Atual - Fornecimento | 15mA ~ 335mA |
DIODE GEN PURP 200V 5A TO252
IC AMP ISM 0HZ-1GHZ 85 MIL MICRO
DIODE GEN PURP 600V 5A CPD
SUPER FAST RECOVERY DIODES
DIODE GEN PURP 200V 5A CPD
IC AMP 802.11B/G/N 2.4GHZ 8QFN
DIODE GEN PURP 200V 5A 8TSOP
IC RF AMP DBS 20GHZ-32GHZ 8SMD
DIODE GEN PURP 600V 5A TO220NFM
IC RF AMP WLL 3GHZ-4GHZ 8MSOP