CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - matrizesSIZ998DT-T1-GE3
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SIZ998DT-T1-GE3

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Número de peça do fabricante : SIZ998DT-T1-GE3
Estado de RoHS :
Fabricante / Marca : Electro-Films (EFI) / Vishay
Condição de estoque : 64175 pcs Stock
Descrição : MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
Navio De : Hong Kong
Fichas de dados : SIZ998DT-T1-GE3.pdf
Caminho de embarque : DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Número de parte SIZ998DT-T1-GE3
Fabricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
Status sem chumbo / Status RoHS
Quantidade Disponível 64175 pcs
Fichas de dados SIZ998DT-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor 8-PowerPair®
Série TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS 6.7 mOhm @ 15A, 10V, 2.8 mOhm @ 19A, 10V
Power - Max 20.2W, 32.9W
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete 8-PowerWDFN
Outros nomes SIZ998DT-T1-GE3-ND
SIZ998DT-T1-GE3TR
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 32 Weeks
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
Tipo FET 2 N-Channel (Dual), Schottky
Característica FET Standard
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30V
Descrição detalhada Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 30V 20A (Tc), 60A (Tc) 20.2W, 32.9W Surface Mount 8-PowerPair®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 20A (Tc), 60A (Tc)
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Endereço bancário: 27 / F, China Recursos Building, No.5001, Shennan Road
Leste, Distrito de Luohu, Shenzhen, China
Região: China

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