Número de peça do fabricante : | SIA813DJ-T1-GE3 | Estado de RoHS : | Sem chumbo / acordo com RoHS |
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Fabricante / Marca : | Electro-Films (EFI) / Vishay | Condição de estoque : | 39429 pcs Stock |
Descrição : | MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6 | Navio De : | Hong Kong |
Fichas de dados : | SIA813DJ-T1-GE3.pdf | Caminho de embarque : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Número de parte | SIA813DJ-T1-GE3 |
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Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Descrição | MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6 |
Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Quantidade Disponível | 39429 pcs |
Fichas de dados | SIA813DJ-T1-GE3.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±8V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Série | LITTLE FOOT® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 94 mOhm @ 2.8A, 4.5V |
Dissipação de energia (Max) | 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Outros nomes | SIA813DJ-T1-GE3TR SIA813DJT1GE3 |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante | 21 Weeks |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 355pF @ 10V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 8V |
Tipo FET | P-Channel |
Característica FET | Schottky Diode (Isolated) |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 1.8V, 4.5V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 20V |
Descrição detalhada | P-Channel 20V 4.5A (Tc) 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Tc) |
MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
MOSFET N/P-CH 12V/20V SC-70-6L
MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6
MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6
MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6L
MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6
MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6