Número de peça do fabricante : | FDD16AN08A0-F085 | Estado de RoHS : | Sem chumbo / acordo com RoHS |
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Fabricante / Marca : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Condição de estoque : | 18087 pcs Stock |
Descrição : | MOSFET N-CH 75V 50A DPAK | Navio De : | Hong Kong |
Fichas de dados : | FDD16AN08A0-F085.pdf | Caminho de embarque : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Número de parte | FDD16AN08A0-F085 |
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Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Descrição | MOSFET N-CH 75V 50A DPAK |
Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Quantidade Disponível | 18087 pcs |
Fichas de dados | FDD16AN08A0-F085.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-252AA |
Série | Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 16 mOhm @ 50A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 135W (Tc) |
Embalagem | Cut Tape (CT) |
Caixa / Gabinete | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Outros nomes | FDD16AN08A0-F085CT FDD16AN08A0_F085CT FDD16AN08A0_F085CT-ND |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante | 16 Weeks |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1874pF @ 25V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 6V, 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 75V |
Descrição detalhada | N-Channel 75V 9A (Ta), 50A (Tc) 135W (Tc) Surface Mount TO-252AA |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 9A (Ta), 50A (Tc) |
MOSFET N CH 100V 6.8A TO252-3
MOSFET N-CH 200V DPAK-3
MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
MOSFET N-CH 60V 45A D-PAK
MOSFET N-CH 60V 40A D-PAK
MOSFET N-CH 75V 50A DPAK
MOSFET N-CH 60V 45A DPAK
MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK
MOSFET N-CH 60V 9.5A DPAK-3
MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-5L