Número de peça do fabricante : | DLA11C-TR-E | Estado de RoHS : | Sem chumbo / acordo com RoHS |
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Fabricante / Marca : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Condição de estoque : | 4675 pcs Stock |
Descrição : | DIODE GEN PURP 200V 1.1A 2SMD | Navio De : | Hong Kong |
Fichas de dados : | DLA11C-TR-E.pdf | Caminho de embarque : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Número de parte | DLA11C-TR-E |
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Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Descrição | DIODE GEN PURP 200V 1.1A 2SMD |
Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
Quantidade Disponível | 4675 pcs |
Fichas de dados | DLA11C-TR-E.pdf |
Tensão - Pico Reversa (Max) | Standard |
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se | 1.1A |
Tensão - Breakdown | - |
Série | - |
Status de RoHS | Tape & Reel (TR) |
Inversa de tempo de recuperação (trr) | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Resistência @ Se, F | - |
Polarização | 2-SMD |
Temperatura de Operação - Junção | 50ns |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Número de peça do fabricante | DLA11C-TR-E |
Descrição expandida | Diode Standard 200V 1.1A Surface Mount |
configuração de diodo | 10µA @ 200V |
Descrição | DIODE GEN PURP 200V 1.1A 2SMD |
Atual - dispersão reversa @ Vr | 980mV @ 1.1A |
Atual - rectificada média (Io) (por Diode) | 200V |
Capacitância @ Vr, F | 150°C (Max) |
IP CORE DEINTERLACER ECP2
IP CORE DEINTERLACER ECP2M
DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AC
IP CORE DEINTERLACER ECP3
DIODE SCHOTTKY 35V 16A ITO220AC
IP CORE DEINTERLACER XP2
DIODE SCHOTTKY 20V 2A SMB
DIODE SCHOTTKY 90V 2A SJP
DIODE GEN PURP 1200V 60A TO247AD
DIODE GEN PURP 800V 40A TO263